точный    медикамент аптеку услугу   [расширенный поиск]

Ученые придумали замену кремнию в микросхемах

Ученые из Мэрилендского университета обнаружили, что в материале под названием графен электроны перемещаются гораздо быстрее, чем в кремнии, который используется в качестве полупроводниковой подложки в микросхемах, пишет издание TG Daily.

Графен, который представляет собой слой атомов углерода, соединенных посредством sp2 связей в гексагональную двумерную кристаллическую решетку, позволяет ускорить перемещение электронов в сотню раз.

При комнатной температуре графен обеспечивает сопротивление всего в один микроом на сантиметр, что на 35 процентов ниже сопротивления меди, которая используется в качестве проводника при создании микросхем.

Ученые отмечают, что пока графен содержит примеси и из-за этого его сопротивление выше, чем у меди, однако потенциально он позволяет создание транзисторов со сверхбыстрым временем переключения. Кроме того, графен из-за того, что имеет толщину в один атом, может быть широко применен в областях, связанных с тонкопленочными технологиями. В частности, они могут были использованы в сенсорных экранах и фотоэлектрических элементах.

Графен был открыт и описан физиками из Манчестерского университета в 2004 году. В статье в журнал Science они отмечали, что материал в природе не существует и является нестабильным по сравнению с другими, состоящими из атомов углерода.

25.03.2008

источник:Ученые придумали замену кремнию в микросхемах
Медицинские новости по теме: Ученые придумали замену кремнию в микросхемах
Здоровье: Болезни органов кровообращения
Сосудистая недостаточность СОСУДИСТАЯ НЕДОСТАТОЧНОСТЬ. Несоответствие между вместимостью сосудистого русла и объемом циркулирующей крови вследствие недостаточности сосудистого тон уса или (и)...

Психология: Гештальт - терапия
Манипулятивные техники в гештальт-терапии Когда я говорю 'манипулятивные техники', нужно иметь в виду, что сам термин - некая условность. Все психотерапевтические техники по большому счету манипулятивны. Потому, что...






 Copyright © RIN 2002-
* Обратная связь