Чрезвычайная популярность сменных накопителей на основе чипов флэш-памяти не вызывает сомнения, однако исследователи уже сегодня находятся в поисках достойной замены флэш-памяти в будущем. Одним из основных альтернативных вариантов является память на основе фазовых переходов (PС RAM - Phase Change RAM). В этом случае используется возможность некоторых материалов находиться в двух состояниях - аморфном и кристаллическом.
Японские ученые из университета Каназавы (Япония) сообщают об изготовлении устройств на основе PС RAM памяти, которые отличаются высокой скоростью переключения - в тысячу и даже в десять тысяч раз быстрее уже созданных PС RAM-устройств. При этом количество циклов записи может достигать 400 тысяч.
По информации от Nikkei Business Daily, ученые создали новый материал на основе сурьмы, селена и теллура. Пока до введения в коммерческое применение подобных устройств еще далеко, но первые шаги в создании будущей замены чипов флэш-памяти уже сделаны.
Здоровье: Архив От кофе крепчают и худеют Кофе делает людей более выносливыми и, как утверждают австралийские ученые, может помочь сжечь немного больше жира во время посещения спортзала.Эксперименты, в которых...
Психология: Все о семейной психологии Мужские и женские роли в семье Известно, что семейные отношения складываются не сразу. Тем не менее, уже первые совместные решения могут рассказать многое о том, какую роль в семье берет на себя каждый из...
Чрезвычайная популярность сменных накопителей на основе чипов флэш-памяти не вызывает сомнения, однако исследователи уже сегодня находятся в поисках достойной замены флэш-памяти в будущем. 